Peralatan Pelapisan WCC800 Proses Deposisi Sputter
Sumber Ion
- Plasma berenergi tinggi untuk pembersihan permukaan
- Pengukiran tingkat atom tanpa memengaruhi kekasaran permukaan;
- Perawatan mudah
Desain medan magnet tidak seimbang untuk pemanfaatan target yang tinggi;
- Jenis pelapis: Cr, WC/C, TiAlN, dll.
- Jenis pelapis: Cr, WC/C, TiAlN, dll.
- Memberikan kualitas pelapisan yang lebih baik.
- Tegangan film yang lebih rendah
| Model | WCC800 |
|---|---|
| Teknologi | 1DCMS+3HiPIMS |
| Jenis Pelapis | Cr, WC/C, TiAlN, dll. |
| Etsa | MENGATUR |
| Jumlah Katoda | 4 |
| Ukuran (P x L x T: mm) | 3750 × 1800 × 2500 |
| Volume Ruang (m³) | 0,8 |
| Volume Pelapisan (mm) | Φ650 × 400 |
| Kapasitas Beban (pohon) | 8/atau sesuai permintaan pelanggan |
| Beban Maksimum (KG) | 350 |
| Diameter Spindel (mm) | Φ170 |
| Waktu Proses (jam) | 4~5 |





